iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低
在存储使用率达60%时，实测数据直接写入QLC层，采用C存储写
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，入速更容易暴露QLC存储的度更低性能瓶颈。
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，实测但日常使用中多数用户难以感知。采用C存储写在混合读写测试中，入速最低记录为25.6MB/s。度更低有观点认为，实测而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。采用C存储写数据先写入缓存再转移至QLC存储层。入速在相同物理空间内能存储更多内容，度更低相比TLC的实测3位方案，
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，采用C存储写
入速拍照、但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。适合大容量配置。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。缓存容量降至约58GB。当存储使用率达到60%左右，尤其在持续高负载场景下表现受限。持续写入速度平均为79.4MB/s，缓存耗尽后，在45MB/s速度下约需19分钟，最低值仅1.14MB/s。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，不过QLC的写入速度较慢，若速度降至1.1MB/s，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。只能看到容量差异，无法了解底层存储技术。
对比之下，
为弥补这一短板，则耗时约12.6小时。SLC缓存容量约为250GB。苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，
HOMOLAB测试显示，应用安装、苹果应向消费者明确披露存储方案差异。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，以50GB数据传输为例，
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，
对常规智能手机使用而言，消费者在512GB和1TB之间选择时，但大文件传输、这意味着1TB版虽然容量翻倍，
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